型号:SI4668DY-T1-E3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 16.2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 10.5 毫欧 @ 15A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.6V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 42nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1654pF @ 15V |
功率_最大 | 5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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RES 1.50K OHM 1/16W .5% SMD 0402
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CAP CER 68PF 100V 2% RADIAL
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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- RT0805CRD07887KL
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0805(2012 公制)
RES 887K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- SQCAEM100FAJME\500
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AVX Corporation
0605(1613 公制)
CAP CER 10PF 150V 1% 0605
- RTM-2405S/H-R
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CAP CER 10PF 150V 1% 0605
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芯片电阻 - 表面安装
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0805(2012 公制)
RES 8.25K OHM 1/8W .25% SMD 0805
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CAP CER 10PF 150V 5% 0605
- SHH818-1
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- SI4670DY-T1-E3
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MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
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